Descripción
Potencia nominal 540.00W
Tecnologia del modulo HalfCell
Tensión de vacio (Voc) 49.50V
Tensión de Máxima Potencia (Vmp) 41.65V
Corriente de corticircuito (Isc) 13.85A
Corriente de Máxima Potencia (Imp) 13A
Coeficiente degradacion 1 0.02
Coeficiente de temperatura de Pmax -0.35%/ºC
Color de marco Silver
Color del Backshet Blanco
Garantía producción 25.00Años
Tipo de conector MC4
Longitud Cable 1400.00
Tolerancia positiva 0.94%
Área de la célula 137.00mm2
Coeficiente absorción 0.90
Coeficiente degradacion 2 0.01
Coeficiente de temperatura de Isc 0.05%/ºC
Coeficiente de temperatura de Voc -0.27%/ºC
Factor Calidad Diodo 969.00/Kelvin
Factor cuadrátivo Brev 3200.00mA/V2
Irradiancia de referencia 1000.00W/m2
Masa de aire 1500.00
Mod Eficiencia 21.10
Número de células en Paralelo 2.00
Número de células en Serie 72.00
Número de diodos 3.00
Parametro Exponencial 8.50Ohmios
Resistencia Serie 203.00Ohmios
Resistencia Shunt 300.00Ohmios
Resistencia Shunt cuando Irradiancia=0 1000.00Ohmios
SandiaAMCorr 50000.00
Temperatura de referencia 25.00ºC
Tensión Máxima IEC 1500.00V
Tensión Máxima UL 1500.00V
Tecnología mtSiMono
muGamma -0.0005
RDiode 10.00
BRev 10356.00
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