Descripción
Potencia nominal 365.00W
Tecnologia del modulo Back Contact
Tensión de vacio (Voc) 42.80V
Tensión de Máxima Potencia (Vmp) 36.70V
Corriente de corticircuito (Isc) 10.80A
Corriente de Máxima Potencia (Imp) 10A
Coeficiente degradacion 1 0.02
Coeficiente de temperatura de Pmax -0.30%/ºC
Color de marco Negro
Color del Backshet Blanco
Garantía producción 25.00Años
Tipo de conector MC4
Longitud Cable 1000.00
Tolerancia positiva 3.00%
Área de la célula 258.30mm2
Coeficiente absorción 0.90
Coeficiente degradacion 2 0.00
Coeficiente de temperatura de Isc 0.04%/ºC
Coeficiente de temperatura de Voc -0.24%/ºC
Factor Calidad Diodo 1064.00/Kelvin
Factor cuadrátivo Brev 3200.00mA/V2
Irradiancia de referencia 1000.00W/m2
Masa de aire 1500.00
Mod Eficiencia 21.10
Número de células en Paralelo 1.00
Número de células en Serie 60.00
Número de diodos 3.00
Parametro Exponencial 5.50Ohmios
Resistencia Serie 161.00Ohmios
Resistencia Shunt 220.00Ohmios
Resistencia Shunt cuando Irradiancia=0 900.00Ohmios
SandiaAMCorr 50000.00
Temperatura de referencia 25.00ºC
Tensión Máxima IEC 1000.00V
Tensión Máxima UL 1000.00V
Tecnología mtSiMono
muGamma -0.0002
RDiode 10.00
BRev 12960.00
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